Primo HD-RIE?是壹定发于2015年推出的新一代电介质刻蚀产品，是在Primo SSC AD-RIETM设计基础上实现的具有六个单反映台腔体的系统，定位于为中高深宽比刻蚀提供综合解决方案。。该装备具有以下新特征：：：更高的同步脉冲射频功率、、 、高功率高温静电托盘、、 、气体脉冲、、 、多区气体调理、、 、可冷却聚焦环工艺组件和更稳固的上电极温度控制等。。Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中高深宽比沟槽及深孔刻蚀上体现优异，在一些要害制程上已实现量产。。
为NAND和DRAM芯片制造提供立异的刻蚀解决方案
具有自力气体输运系统的单反映台腔体设计
多区气体调理以及双区ESC温度控制
高功率以及高温静电吸盘
气体脉冲
双级同步脉冲射频系统，甚高功率的低频射频脉冲以提供高离子轰击能量
稳固的上电极温度控制系统
可冷却聚焦环以防止硅片边沿刻蚀阻止
高上下电极面积比，以应用于中高深宽比刻蚀
高电介质质料刻蚀速率，多手段刻蚀匀称度调理
高粒子轰击能量，以扩大高深宽比刻蚀工艺窗口
气体脉冲系统，提供更无邪的工艺控制方案
应对特殊工艺的高温高功率静电吸盘选项
