Primo Twin-Star? 是壹定发基于电感耦合（ICP）手艺研发的 12 英寸刻蚀装备。。它可以设置多达三个具有双反映台的刻蚀反映腔和两个可选的除胶反映腔。。每个刻蚀反映腔可同时加工一片或两片晶圆并取得高度匀称和一致的效果。。ICP 发射天线接纳了壹定发具有自主知识产权的低电容耦合 3D 线圈设计，，，可实现对离子浓度和离子能量的高度自力控制。。装备还接纳了可实现多区动态温控的静电吸盘，，，使加工出的集成电路器件的要害尺寸抵达高度匀称性。。反映腔内部涂有高致密性、、耐等离子体侵蚀质料，，，以获得更高的工艺重复性和生产率。。Primo Twin-Star? 适用于种种尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀。。别的，，，该产品和单反映台腔体相比还具有显着的低本钱优势。。
为功率器件、、逻辑芯片和存储芯片等应用提供的高性价比的刻蚀解决方案
双反映台腔体设计
低电容耦合3D线圈设计
高抽速大容量涡轮泵
双通道进气
细密的腔体温控和RF窗口温控系统
先进的高致密性、、耐等离子体侵蚀涂层工艺多区动态温控静电吸盘
13兆赫或400千赫脉冲偏压系统
可选的集成除胶反映腔
离子浓度和离子能量自力可控
高排宇量和更宽的工艺窗口
优异的刻蚀匀称性
优异的高深宽比刻蚀性能
高生产效率，，，低生产本钱（CoO）
